S25QR
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| Teilenummer | S25QR |
| PNEDA Teilenummer | S25QR |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO220AA |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.802 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S25QR Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S25QR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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S25QR Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 51A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 67µA @ 420V Kapazität @ Vr, F. 970pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-PowerSOP Module Lieferantengerätepaket PG-HDSOP-10-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1.3A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.5V @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 29pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.1V @ 12A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 45ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket ITO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
