S25FL512SAGMFMG10
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| Teilenummer | S25FL512SAGMFMG10 |
| PNEDA Teilenummer | S25FL512SAGMFMG10 |
| Beschreibung | IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SO |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.814 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S25FL512SAGMFMG10 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S25FL512SAGMFMG10 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S25FL512SAGMFMG10 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | Automotive, AEC-Q100, FL-S |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 133MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
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Hersteller Adesto Technologies Serie Mavriq™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat CBRAM® Technologie CBRAM Speichergröße 64kb (32B Page Size) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100µs, 2.5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.65V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 48-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 48-SIDE BRAZED |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 1.125Mb (32K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 208-BFQFP Lieferantengerätepaket 208-PQFP (28x28) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 128Kb (8K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 84-PLCC (29.21x29.21) |
