S25FL256LDPBHI030
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| Teilenummer | S25FL256LDPBHI030 |
| PNEDA Teilenummer | S25FL256LDPBHI030 |
| Beschreibung | IC FLASH 256M SPI 66MHZ 24BGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.148 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S25FL256LDPBHI030 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S25FL256LDPBHI030 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S25FL256LDPBHI030 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | FL-L |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 256Mb (32M x 8) |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O, QPI |
| Taktfrequenz | 66MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 24-TBGA |
| Lieferantengerätepaket | 24-BGA (6x8) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 200µs Zugriffszeit 200ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-PDIP |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EPROM Technologie EPROM - OTP Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 32-PLCC (11.43x13.97) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 95ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 56-VFBGA Lieferantengerätepaket 56-VFBGA (7x9) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
