S25FL256LAGNFN010
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| Teilenummer | S25FL256LAGNFN010 |
| PNEDA Teilenummer | S25FL256LAGNFN010 |
| Beschreibung | IC NOR |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.428 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 6 - Dez 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S25FL256LAGNFN010 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S25FL256LAGNFN010 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
S25FL256LAGNFN010, S25FL256LAGNFN010 Datenblatt
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S25FL256LAGNFN010 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | FL-L |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 256Mb (32M x 8) |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O, QPI |
| Taktfrequenz | 133MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-WSON (6x8) |
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Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 134-VFBGA Lieferantengerätepaket 134-FBGA (10x11.5) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5.0ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 152-VFBGA Lieferantengerätepaket 152-VFBGA (14x14) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 576Kb (32K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 183MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.3ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP |
