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S25FL132K0XMFB041

S25FL132K0XMFB041

Nur als Referenz

Teilenummer S25FL132K0XMFB041
PNEDA Teilenummer S25FL132K0XMFB041
Beschreibung IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SO
Hersteller Cypress Semiconductor
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S25FL132K0XMFB041 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS25FL132K0XMFB041
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
S25FL132K0XMFB041, S25FL132K0XMFB041 Datenblatt (Total Pages: 90, Größe: 3.056,42 KB)
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S25FL132K0XMFB041 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieAutomotive, AEC-Q100, FL1-K
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße32Mb (4M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O
Taktfrequenz108MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite3ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3.5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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