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S25FL032P0XMFV011M

S25FL032P0XMFV011M

Nur als Referenz

Teilenummer S25FL032P0XMFV011M
PNEDA Teilenummer S25FL032P0XMFV011M
Beschreibung IC FLASH 32M SPI 104MHZ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.428
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S25FL032P0XMFV011M Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS25FL032P0XMFV011M
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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S25FL032P0XMFV011M Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieFL-P
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße32Mb (4M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5µs, 3ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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51-30259Z01-A

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IS43DR16128B-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

84-TFBGA

Lieferantengerätepaket

84-TWBGA (10.5x13)

70V24L15PF

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

AS4C512M32MD3-15BCN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

16Gb (512M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

178-VFBGA

Lieferantengerätepaket

178-FBGA (11x11.5)

CY7C1250V18-333BZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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