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S1PJ-M3/85A

S1PJ-M3/85A

Nur als Referenz

Teilenummer S1PJ-M3/85A
PNEDA Teilenummer S1PJ-M3-85A
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.370
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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S1PJ-M3/85A Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS1PJ-M3/85A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S1PJ-M3/85A, S1PJ-M3/85A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 102,02 KB)
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S1PJ-M3/85A Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieeSMP®
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)1.8µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.6pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-220AA
LieferantengerätepaketDO-220AA (SMP)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

430mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

75µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-222AA

Lieferantengerätepaket

STmite Flat

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

SE15FDHM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

900ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

10.5pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

DO-219AB (SMF)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

MBRF760HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

BAT54W-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOD-123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

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