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S1MLHMQG

S1MLHMQG

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Teilenummer S1MLHMQG
PNEDA Teilenummer S1MLHMQG
Beschreibung DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 4.896
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S1MLHMQG Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS1MLHMQG
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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S1MLHMQG Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)-
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)1.8µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F.9pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-219AB
LieferantengerätepaketSub SMA
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

HER202G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

35pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

R204120

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

1A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3; MPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

IDH16G120C5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

16A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.95V @ 16A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

730pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-2-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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