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S1MHE3_A/I

S1MHE3_A/I

Nur als Referenz

Teilenummer S1MHE3_A/I
PNEDA Teilenummer S1MHE3_A-I
Beschreibung DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 138.624
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S1MHE3_A/I Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS1MHE3_A/I
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S1MHE3_A/I, S1MHE3_A/I Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 80,09 KB)
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S1MHE3_A/I Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q100
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)1.8µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F.12pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AC, SMA
LieferantengerätepaketDO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

420mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

POWERDI®123

Lieferantengerätepaket

PowerDI™ 123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

3pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 155°C

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Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

1N4148_S62Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SS16-E3/11T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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