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S1KW8C-1P

S1KW8C-1P

Nur als Referenz

Teilenummer S1KW8C-1P
PNEDA Teilenummer S1KW8C-1P
Beschreibung DIODE GEN PURP 8KV 4A MODULE
Hersteller Semtech
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Auf Lager 6.012
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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S1KW8C-1P Ressourcen

Marke Semtech
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS1KW8C-1P
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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S1KW48C-6D Datenblatt Seite 2

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S1KW8C-1P Technische Daten

HerstellerSemtech Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)8000V
Current - Average Rectified (Io)4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If8V @ 3A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 8000V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

800A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.65V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AB, B-PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

VS-80APS12-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.17V @ 80A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

S1DFS MXG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

9pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-128

Lieferantengerätepaket

SOD-128

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

10BQ030

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

420mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SCS210AJTLL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

10A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

365pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

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