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S1JL R3G

S1JL R3G

Nur als Referenz

Teilenummer S1JL R3G
PNEDA Teilenummer S1JL-R3G
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 7.254
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S1JL R3G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS1JL R3G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S1JL R3G, S1JL R3G Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 176,52 KB)
PDFS1JLR2G Datenblatt Cover
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S1JL R3G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)1.8µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.9pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-219AB
LieferantengerätepaketSub SMA
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Hersteller

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SRAF1620 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

R9S02630XX

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2600V

Current - Average Rectified (Io)

3935A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

75mA @ 2600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-200 Variation

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

60SPB060A

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

6mA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

2400pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SPD-2A

Lieferantengerätepaket

SPD-2A

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MSC010SDA120K

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

10A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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