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S1AB-13-F

S1AB-13-F

Nur als Referenz

Teilenummer S1AB-13-F
PNEDA Teilenummer S1AB-13-F
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 1A SMB
Hersteller Diodes Incorporated
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S1AB-13-F Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS1AB-13-F
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S1AB-13-F, S1AB-13-F Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 398,13 KB)
PDFS1GB-13 Datenblatt Cover
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S1AB-13-F Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)3µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.10pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AA, SMB
LieferantengerätepaketSMB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

UG58G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.1V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

20ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

HER302G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SBL1040

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

MBRB16H50-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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