S150QR
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| Teilenummer | S150QR |
| PNEDA Teilenummer | S150QR |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AA |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.964 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S150QR Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S150QR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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S150QR Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 150A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 150A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-205AA, DO-8, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-205AA (DO-8) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 200°C |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 975mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 80pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 1500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 150mA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AB, B-PUK Lieferantengerätepaket DO-200AB, B-PUK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 120V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 120V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 20ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 30µA @ 15V Kapazität @ Vr, F. 75pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 6-MCPH Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 560mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123F Lieferantengerätepaket PMDU Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
