S12KC R7G
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| Teilenummer | S12KC R7G |
| PNEDA Teilenummer | S12KC-R7G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.706 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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S12KC R7G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S12KC R7G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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S12KC R7G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 800V |
| Kapazität @ Vr, F. | 78pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AB (SMC) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 70V Current - Average Rectified (Io) 70mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 15mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100nA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 1005 (2512 Metric) Lieferantengerätepaket 1005 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 125°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AC, DO-15, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AC (DO-15) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1600V Current - Average Rectified (Io) 400A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 400A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -60°C ~ 200°C |
Hersteller SMC Diode Solutions Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 75V Current - Average Rectified (Io) 300mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 10mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2.5µA @ 75V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-90, SOD-323F Lieferantengerätepaket SOD-323 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 100°C |
Hersteller Global Power Technologies Group Serie Amp+™ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1700V Current - Average Rectified (Io) 5A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1700V Kapazität @ Vr, F. 406pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
