S12KC M6G
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| Teilenummer | S12KC M6G |
| PNEDA Teilenummer | S12KC-M6G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.722 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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S12KC M6G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S12KC M6G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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S12KC M6G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 800V |
| Kapazität @ Vr, F. | 78pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AB (SMC) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 660mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 8.4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 20µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 25pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-UFDFN Lieferantengerätepaket U-DFN1608-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 360mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-SMD, J-Lead Lieferantengerätepaket SJP Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C |
