S12JR
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| Teilenummer | S12JR |
| PNEDA Teilenummer | S12JR |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.556 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 23 - Apr 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S12JR Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S12JR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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S12JR Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-4 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/585 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 660V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 660V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall A, Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Comchip Technology Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 9pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 1005/SOD-323F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 80V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 125°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 200mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 575mV @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 150µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 20pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 0402 (1006 Metric) Lieferantengerätepaket X1-DFN1006-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 125°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 200mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 7pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-923 Lieferantengerätepaket SOD-923 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
