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S10GC V7G

S10GC V7G

Nur als Referenz

Teilenummer S10GC V7G
PNEDA Teilenummer S10GC-V7G
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 10A DO214AB
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 7.398
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S10GC V7G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS10GC V7G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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S10GC V7G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 10A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F.60pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AB, SMC
LieferantengerätepaketDO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

40A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 120A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MBRH200150R

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-67

Lieferantengerätepaket

D-67

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CDBDSC51200-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

18A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 5A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

475pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

DSEP9-06CR

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerDynFRED™

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

9A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

4V @ 9A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

15ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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