RUM003N02T2L
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| Teilenummer | RUM003N02T2L |
| PNEDA Teilenummer | RUM003N02T2L |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 303.792 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RUM003N02T2L Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RUM003N02T2L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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RUM003N02T2L Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 300mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 300mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | VMT3 |
| Paket / Fall | SOT-723 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45.4nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4021pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 195W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
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