Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RT1E040RPTR

RT1E040RPTR

Nur als Referenz

Teilenummer RT1E040RPTR
PNEDA Teilenummer RT1E040RPTR
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.824
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Sep 24 - Sep 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RT1E040RPTR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRT1E040RPTR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
RT1E040RPTR, RT1E040RPTR Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 625,94 KB)
PDFRT1E040RPTR Datenblatt Cover
RT1E040RPTR Datenblatt Seite 2 RT1E040RPTR Datenblatt Seite 3 RT1E040RPTR Datenblatt Seite 4 RT1E040RPTR Datenblatt Seite 5 RT1E040RPTR Datenblatt Seite 6 RT1E040RPTR Datenblatt Seite 7 RT1E040RPTR Datenblatt Seite 8 RT1E040RPTR Datenblatt Seite 9 RT1E040RPTR Datenblatt Seite 10 RT1E040RPTR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RT1E040RPTR Datasheet
  • where to find RT1E040RPTR
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor RT1E040RPTR
  • RT1E040RPTR PDF Datasheet
  • RT1E040RPTR Stock

  • RT1E040RPTR Pinout
  • Datasheet RT1E040RPTR
  • RT1E040RPTR Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • RT1E040RPTR Price
  • RT1E040RPTR Distributor

RT1E040RPTR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)550mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-TSST
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF1404ZSTRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPI25N06S3L-22

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

CWDM3011P TR13

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (Max)

20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 8V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMN3060LCA3-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

ZVN0545GTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

450V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

140mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Kürzlich verkauft

TLP227G-2(TP1,N,F)

TLP227G-2(TP1,N,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V

SMF6.0A

SMF6.0A

Littelfuse

TVS DIODE 6V 10.3V SOD123F

AD8250ARMZ

AD8250ARMZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 10MSOP

PI3L301DAEX

PI3L301DAEX

Diodes Incorporated

IC MUX/DEMUX 2:1 8 OHM 48TSSOP

AD7795BRUZ

AD7795BRUZ

Analog Devices

IC ADC 16BIT SIGMA-DELTA 24TSSOP

PIC18F2550-I/SO

PIC18F2550-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 28SOIC

74HCT14D,653

74HCT14D,653

Nexperia

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SO

CEP125NP-1R0MC-HD

CEP125NP-1R0MC-HD

Sumida

FIXED IND 1UH 16.5A 2.5 MOHM SMD

HCNR201-000E

HCNR201-000E

Broadcom

OPTOISO 5KV LINEAR PHVOLT 8DIP

MM74HC14M

MM74HC14M

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

1N4148W-E3-08

1N4148W-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

403C35E12M00000

403C35E12M00000

CTS Frequency Controls

CRYSTAL 12.0000MHZ 20PF SMD