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RSFJLHM2G

RSFJLHM2G

Nur als Referenz

Teilenummer RSFJLHM2G
PNEDA Teilenummer RSFJLHM2G
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 2.520
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RSFJLHM2G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRSFJLHM2G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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RSFJLHM2G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)500mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 500mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)250ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.4pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-219AB
LieferantengerätepaketSub SMA
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 9A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MA2J11300L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-90, SOD-323F

Lieferantengerätepaket

SMini2-F1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

SIDC06D60E6X1SA3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

10A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 10A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

27µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Sawn on foil

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

IRD3911

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 62.8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

80µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

LXA10T600

Power Integrations

Hersteller

Power Integrations

Serie

Qspeed™

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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