RSD100N10TL
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| Teilenummer | RSD100N10TL |
| PNEDA Teilenummer | RSD100N10TL |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 10A CPT3 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.408 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RSD100N10TL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RSD100N10TL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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RSD100N10TL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 133mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 20W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | CPT3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 167nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6100pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 350mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 108µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 108pF @ 25V FET-Funktion Depletion Mode Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
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