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RS2J-E3/52T

RS2J-E3/52T

Nur als Referenz

Teilenummer RS2J-E3/52T
PNEDA Teilenummer RS2J-E3-52T
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis
1 ---------- $31,3760
100 ---------- $29,9052
250 ---------- $28,4345
500 ---------- $26,9638
750 ---------- $25,7381
1.000 ---------- $24,5125
Auf Lager 41.053
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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RS2J-E3/52T Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRS2J-E3/52T
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
RS2J-E3/52T, RS2J-E3/52T Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 86,67 KB)
PDFRS2KHE3/52T Datenblatt Cover
RS2KHE3/52T Datenblatt Seite 2 RS2KHE3/52T Datenblatt Seite 3 RS2KHE3/52T Datenblatt Seite 4

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RS2J-E3/52T Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 1.5A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)250ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.17pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AA, SMB
LieferantengerätepaketDO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

600mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 600mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

CDBM140LR-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

200pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123T

Lieferantengerätepaket

Mini SMA/SOD-123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 125°C

SF18G B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SF18G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

S2KDF-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

D-Flat

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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