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RS2AHE3/5BT

RS2AHE3/5BT

Nur als Referenz

Teilenummer RS2AHE3/5BT
PNEDA Teilenummer RS2AHE3-5BT
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.104
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RS2AHE3/5BT Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRS2AHE3/5BT
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
RS2AHE3/5BT, RS2AHE3/5BT Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 86,67 KB)
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RS2AHE3/5BT Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 1.5A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)150ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.20pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AA, SMB
LieferantengerätepaketDO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 6A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Button, Axial

Lieferantengerätepaket

Microde Button

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SURA8130T3G-VF01

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 15A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

550pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

VS-2EGH02-M3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMBJ)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

DGS20-025A

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

250V

Current - Average Rectified (Io)

18A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 250V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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