RS1GL RTG
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| Teilenummer | RS1GL RTG |
| PNEDA Teilenummer | RS1GL-RTG |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.064 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RS1GL RTG Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RS1GL RTG |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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RS1GL RTG Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
| Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 800mA |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 400V |
| Kapazität @ Vr, F. | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-219AB |
| Lieferantengerätepaket | Sub SMA |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie HEXFRED® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 60ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 15A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 300µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 550pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall SOD-64, Axial Lieferantengerätepaket SOD-64 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
