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RRE02VTM4SFHTR

RRE02VTM4SFHTR

Nur als Referenz

Teilenummer RRE02VTM4SFHTR
PNEDA Teilenummer RRE02VTM4SFHTR
Beschreibung RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO
Hersteller Rohm Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RRE02VTM4SFHTR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRRE02VTM4SFHTR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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RRE02VTM4SFHTR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 200mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall2-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketTUMD2SM
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

25V

Current - Average Rectified (Io)

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 30mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

JAN1N1202A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/260

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 38A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AA (DO-4)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

MBRM110ET3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

10V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

530mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 10V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-216AA

Lieferantengerätepaket

Powermite

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

JAN1N5822

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/620

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

B, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

FESF16HTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 500V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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