RQK0609CQDQS#H1
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| Teilenummer | RQK0609CQDQS#H1 |
| PNEDA Teilenummer | RQK0609CQDQS-H1 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH UPAK |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.622 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RQK0609CQDQS#H1 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RQK0609CQDQS#H1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
RQK0609CQDQS#H1, RQK0609CQDQS#H1 Datenblatt
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RQK0609CQDQS#H1 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | UPAK |
| Paket / Fall | TO-243AA |
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