RQK0607AQDQS#H1
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| Teilenummer | RQK0607AQDQS#H1 |
| PNEDA Teilenummer | RQK0607AQDQS-H1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.124 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 23 - Dez 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RQK0607AQDQS#H1 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RQK0607AQDQS#H1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
RQK0607AQDQS#H1, RQK0607AQDQS#H1 Datenblatt
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RQK0607AQDQS#H1 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | UPAK |
| Paket / Fall | TO-243AA |
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