RQ3E180AJTB
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Teilenummer | RQ3E180AJTB |
PNEDA Teilenummer | RQ3E180AJTB |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 |
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.246 |
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RQ3E180AJTB Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RQ3E180AJTB |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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RQ3E180AJTB Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 18A (Ta), 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 18A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 11mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-HSMT (3.2x3) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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