RQ3E070BNTB
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| Teilenummer | RQ3E070BNTB |
| PNEDA Teilenummer | RQ3E070BNTB |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.708 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RQ3E070BNTB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RQ3E070BNTB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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RQ3E070BNTB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-HSMT (3.2x3) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie π-MOSV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 908pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.34W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket X3-DSN0808-4 Paket / Fall 4-XFBGA, CSPBGA |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 65W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
