RN4991FE,LF(CT
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| Teilenummer | RN4991FE,LF(CT |
| PNEDA Teilenummer | RN4991FE-LF-CT |
| Beschreibung | NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.660 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RN4991FE Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RN4991FE,LF(CT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
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RN4991FE Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | * |
| Transistortyp | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Widerstand - Basis (R1) | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V, 40V Widerstand - Basis (R1) 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang 100MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
