RN2906,LF
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| Teilenummer | RN2906,LF |
| PNEDA Teilenummer | RN2906-LF |
| Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 24.924 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RN2906 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RN2906,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
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RN2906 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Leistung - max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | US6 |
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms, 1kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms, 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 150MHz, 80MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SMINI6-G1 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 150MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket SMini5-G1 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket Mini6-G4-B |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket SMT6 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 100mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 |
