RN1310(TE85L,F)
Nur als Referenz
| Teilenummer | RN1310(TE85L,F) |
| PNEDA Teilenummer | RN1310-TE85L-F |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.114 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 16 - Feb 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RN1310(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RN1310(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
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RN1310(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung - max | 100mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | USM |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Through Hole Paket / Fall SC-72 Formed Leads Lieferantengerätepaket SPT |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket EMT3 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 100mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SSM |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket TO-92S |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang 180MHz Leistung - max 280mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN1010D-3 |
