RN1306,LF
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Teilenummer | RN1306,LF |
PNEDA Teilenummer | RN1306-LF |
Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.812 |
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RN1306 Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RN1306,LF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
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RN1306 Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | - |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung - max | 100mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
Lieferantengerätepaket | USM |
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