RN1130MFV,L3F
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| Teilenummer | RN1130MFV,L3F |
| PNEDA Teilenummer | RN1130MFV-L3F |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.938 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RN1130MFV Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RN1130MFV,L3F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
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RN1130MFV Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung - max | 150mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-723 |
| Lieferantengerätepaket | VESM |
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