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RM25C32DS-LSNI-B

RM25C32DS-LSNI-B

Nur als Referenz

Teilenummer RM25C32DS-LSNI-B
PNEDA Teilenummer RM25C32DS-LSNI-B
Beschreibung IC CBRAM 32K SPI 20MHZ 8SOIC
Hersteller Adesto Technologies
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Auf Lager 16.518
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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RM25C32DS-LSNI-B Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRM25C32DS-LSNI-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
RM25C32DS-LSNI-B, RM25C32DS-LSNI-B Datenblatt (Total Pages: 35, Größe: 1.903,47 KB)
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RM25C32DS-LSNI-B Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
SerieMavriq™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatCBRAM®
TechnologieCBRAM
Speichergröße32kb (32B Page Size)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz20MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100µs, 2.5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Mb (64M x 4)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 5ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Etron Technology, Inc.

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (2K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

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