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RM25C256DS-LMAI-T

RM25C256DS-LMAI-T

Nur als Referenz

Teilenummer RM25C256DS-LMAI-T
PNEDA Teilenummer RM25C256DS-LMAI-T
Beschreibung IC CBRAM 256K SPI 20MHZ 8UDFN
Hersteller Adesto Technologies
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Auf Lager 4.878
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RM25C256DS-LMAI-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRM25C256DS-LMAI-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
RM25C256DS-LMAI-T, RM25C256DS-LMAI-T Datenblatt (Total Pages: 35, Größe: 1.935,12 KB)
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RM25C256DS-LMAI-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
SerieMavriq™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatCBRAM®
TechnologieCBRAM
Speichergröße256kb (64B Page Size)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz20MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100µs, 2.5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-UDFN (2x3)

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Betriebstemperatur

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