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RM25C128A-BSNC-B

RM25C128A-BSNC-B

Nur als Referenz

Teilenummer RM25C128A-BSNC-B
PNEDA Teilenummer RM25C128A-BSNC-B
Beschreibung IC CBRAM 128K SPI 5MHZ 8SOIC
Hersteller Adesto Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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RM25C128A-BSNC-B Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRM25C128A-BSNC-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
RM25C128A-BSNC-B, RM25C128A-BSNC-B Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 973,98 KB)
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RM25C128A-BSNC-B Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatCBRAM®
TechnologieCBRAM
Speichergröße128kb (64B Page Size)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz5MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100µs, 3ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.3ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

576-BBGA, FCBGA

Lieferantengerätepaket

576-FCBGA (25x25)

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Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

e•MMC™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (MLC)

Speichergröße

8Gb (1G x 8)

Speicherschnittstelle

eMMC

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

153-WFBGA

Lieferantengerätepaket

153-WFBGA (11.5x13)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

40-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

40-PDIP

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AS7C1024B-15TJIN

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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