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RM24C32C-LSNI-T

RM24C32C-LSNI-T

Nur als Referenz

Teilenummer RM24C32C-LSNI-T
PNEDA Teilenummer RM24C32C-LSNI-T
Beschreibung IC CBRAM 32K I2C 1MHZ 8SOIC
Hersteller Adesto Technologies
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Auf Lager 4.914
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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RM24C32C-LSNI-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRM24C32C-LSNI-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
RM24C32C-LSNI-T, RM24C32C-LSNI-T Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 1.236,62 KB)
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RM24C32C-LSNI-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
SerieMavriq™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatCBRAM®
TechnologieCBRAM
Speichergröße32kb (32B Page Size)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100µs, 1.2ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (9x13)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-VFBGA

Lieferantengerätepaket

90-VFBGA (8x13)

MT48LC32M16A2TG-75:IT:C

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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STMicroelectronics

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

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Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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