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RM24C32C-LMAI-T

RM24C32C-LMAI-T

Nur als Referenz

Teilenummer RM24C32C-LMAI-T
PNEDA Teilenummer RM24C32C-LMAI-T
Beschreibung IC CBRAM 32K I2C 1MHZ 8UDFN
Hersteller Adesto Technologies
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Auf Lager 6.786
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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RM24C32C-LMAI-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRM24C32C-LMAI-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
RM24C32C-LMAI-T, RM24C32C-LMAI-T Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 1.236,62 KB)
PDFRM24C32C-LCSI-T Datenblatt Cover
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RM24C32C-LMAI-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
SerieMavriq™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatCBRAM®
TechnologieCBRAM
Speichergröße32kb (32B Page Size)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100µs, 1.2ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-UDFN (2x3)

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-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

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Hersteller

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1.5ms

Zugriffszeit

3500ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

PC28F640P33BF60A

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

52MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

60ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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