RM24C256DS-LSNI-B
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| Teilenummer | RM24C256DS-LSNI-B |
| PNEDA Teilenummer | RM24C256DS-LSNI-B |
| Beschreibung | IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC |
| Hersteller | Adesto Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.968 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
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RM24C256DS-LSNI-B Ressourcen
| Marke | Adesto Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RM24C256DS-LSNI-B |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
RM24C256DS-LSNI-B, RM24C256DS-LSNI-B Datenblatt
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RM24C256DS-LSNI-B Technische Daten
| Hersteller | Adesto Technologies |
| Serie | Mavriq™ |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | CBRAM® |
| Technologie | CBRAM |
| Speichergröße | 256kb (64B Page Size) |
| Speicherschnittstelle | I²C |
| Taktfrequenz | 1MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100µs, 2.5ms |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.65V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie Automotive, AEC-Q100 Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-VFBGA Lieferantengerätepaket 90-VFBGA (8x13) |
