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RM24C256C-LMAI-T

RM24C256C-LMAI-T

Nur als Referenz

Teilenummer RM24C256C-LMAI-T
PNEDA Teilenummer RM24C256C-LMAI-T
Beschreibung IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8UDFN
Hersteller Adesto Technologies
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Auf Lager 3.186
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RM24C256C-LMAI-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRM24C256C-LMAI-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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RM24C256C-LMAI-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
SerieMavriq™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatCBRAM®
TechnologieCBRAM
Speichergröße256kb (64B Page Size)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100µs, 5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-UDFN (2x3)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MB85RC04VPNF-G-JNERE1

Fujitsu Electronics

Hersteller

Fujitsu Electronics America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

71V3578S133PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

CY7C025-25AC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (8K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

S29WS128P0SBFW000

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

WS-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

84-VFBGA

Lieferantengerätepaket

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