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RM 2CV1

RM 2CV1

Nur als Referenz

Teilenummer RM 2CV1
PNEDA Teilenummer RM-2CV1
Beschreibung DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL
Hersteller Sanken
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Auf Lager 6.012
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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RM 2CV1 Ressourcen

Marke Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRM 2CV1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
RM 2CV1, RM 2CV1 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 189,37 KB)
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RM 2C Datenblatt Seite 2 RM 2C Datenblatt Seite 3

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RM 2CV1 Technische Daten

HerstellerSanken
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Current - Average Rectified (Io)1.2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If910mV @ 1.5A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallAxial
LieferantengerätepaketAxial
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123

Lieferantengerätepaket

SOD-123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

189NQ135-1

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

135V

Current - Average Rectified (Io)

180A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.07V @ 180A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4.5mA @ 135V

Kapazität @ Vr, F.

4500pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

HALF-PAK

Lieferantengerätepaket

PRM1-1 (Half Pak Module)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SL04-M3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1.1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

540mV @ 1.1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

65pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

DO-219AB (SMF)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

MBR1690HC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

90V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 90V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RS1J-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

7pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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