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RLS4448TE-11

RLS4448TE-11

Nur als Referenz

Teilenummer RLS4448TE-11
PNEDA Teilenummer RLS4448TE-11
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 150MA LLDS
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 3.078
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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RLS4448TE-11 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRLS4448TE-11
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
RLS4448TE-11, RLS4448TE-11 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 70,68 KB)
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RLS4448TE-11 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Current - Average Rectified (Io)150mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 100mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 75V
Kapazität @ Vr, F.4pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
LieferantengerätepaketLLDS
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 200°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

875mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

FYPF0545STU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F-2L

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

MBRH20060R

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-67

Lieferantengerätepaket

D-67

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

CDBQR70

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

70V

Current - Average Rectified (Io)

70mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0402 (1005 Metric)

Lieferantengerätepaket

0402/SOD-923F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

BYM11-800-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AB, MELF (Glass)

Lieferantengerätepaket

DO-213AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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