RJK60S7DPK-M0#T0
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Teilenummer | RJK60S7DPK-M0#T0 |
PNEDA Teilenummer | RJK60S7DPK-M0-T0 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG |
Hersteller | Renesas Electronics America |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.328 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RJK60S7DPK-M0#T0 Ressourcen
Marke | Renesas Electronics America |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RJK60S7DPK-M0#T0 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
RJK60S7DPK-M0#T0, RJK60S7DPK-M0#T0 Datenblatt
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RJK60S7DPK-M0#T0 Technische Daten
Hersteller | Renesas Electronics America |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | +30V, -20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 25V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 227.2W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3PSG |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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