RJK6013DPP-E0#T2
Nur als Referenz
| Teilenummer | RJK6013DPP-E0#T2 |
| PNEDA Teilenummer | RJK6013DPP-E0-T2 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.960 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
RJK6013DPP-E0#T2 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | RJK6013DPP-E0#T2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- RJK6013DPP-E0#T2 Datasheet
- where to find RJK6013DPP-E0#T2
- Renesas Electronics America
- Renesas Electronics America RJK6013DPP-E0#T2
- RJK6013DPP-E0#T2 PDF Datasheet
- RJK6013DPP-E0#T2 Stock
- RJK6013DPP-E0#T2 Pinout
- Datasheet RJK6013DPP-E0#T2
- RJK6013DPP-E0#T2 Supplier
- Renesas Electronics America Distributor
- RJK6013DPP-E0#T2 Price
- RJK6013DPP-E0#T2 Distributor
RJK6013DPP-E0#T2 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 30W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller IXYS Integrated Circuits Division Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion Depletion Mode Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-89 Paket / Fall TO-243AA |
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1725pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 136W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4870pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 27A (Ta), 141A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Power33 Paket / Fall 8-PowerWDFN |
