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RJK5033DPD-00#J2

RJK5033DPD-00#J2

Nur als Referenz

Teilenummer RJK5033DPD-00#J2
PNEDA Teilenummer RJK5033DPD-00-J2
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
Hersteller Renesas Electronics America
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RJK5033DPD-00#J2 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJK5033DPD-00#J2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
RJK5033DPD-00#J2, RJK5033DPD-00#J2 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 70,45 KB)
PDFRJK5033DPD-00#J2 Datenblatt Cover
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RJK5033DPD-00#J2 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)65W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketMP-3A
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

68A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1362pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

FDP150N10A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

91W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

GP1M016A025FG

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

944pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

BSS84P E6433

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

19pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 940mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 500V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223

Paket / Fall

TO-261-3

Kürzlich verkauft

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

VLS252010ET-1R0N

VLS252010ET-1R0N

TDK

FIXED IND 1UH 1.75A 84 MOHM SMD

NFA31GD1014704D

NFA31GD1014704D

Murata

FILTER RC 47 OHM/100PF SMD

SMLVT3V3

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TVS DIODE 3.3V 10.3V SMB

74HC74A

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MICROSS/On Semiconductor

IC FF D-TYPE DUAL DIE

ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

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Abracon

XTAL OSC VCTCXO 38.4000MHZ SNWV

RO-1212S

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Recom Power

DC DC CONVERTER 12V 1W

ATMEGA128-16AU

ATMEGA128-16AU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 64TQFP

BSS138

BSS138

MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

16SVPF180M

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CAP ALUM POLY 180UF 20% 16V SMD

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MPX5010DP

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SENSOR DIFF PRESS 1.45 PSI MAX