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RJH60F5BDPQ-A0#T0

RJH60F5BDPQ-A0#T0

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60F5BDPQ-A0#T0
PNEDA Teilenummer RJH60F5BDPQ-A0-T0
Beschreibung IGBT 600V 80A 260.4W TO-247A
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH60F5BDPQ-A0#T0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60F5BDPQ-A0#T0
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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RJH60F5BDPQ-A0#T0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 40A
Leistung - max260.4W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.53ns/95ns
Testbedingung400V, 30A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247A

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Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 4V, 10A

Leistung - max

107W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/4µs

Testbedingung

300V, 6.5A, 1kOhm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

APT100GN60B2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

229A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 100A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

4.7mJ (on), 2.675mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

600nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/310ns

Testbedingung

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

TIG062E8-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 3V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-ECH

IRG4PC40UPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

320µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/110ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

330µJ

Eingabetyp

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Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/127ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

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