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RJH60F5BDPQ-A0#T0

RJH60F5BDPQ-A0#T0

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60F5BDPQ-A0#T0
PNEDA Teilenummer RJH60F5BDPQ-A0-T0
Beschreibung IGBT 600V 80A 260.4W TO-247A
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH60F5BDPQ-A0#T0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60F5BDPQ-A0#T0
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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RJH60F5BDPQ-A0#T0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 40A
Leistung - max260.4W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.53ns/95ns
Testbedingung400V, 30A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247A

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

229A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 100A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

4.7mJ (on), 2.675mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

600nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/310ns

Testbedingung

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

165A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 80A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

4.3mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/90ns

Testbedingung

450V, 80A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

IRGPC40U

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

TIG062E8-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 3V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-ECH

IRG4PC40UD-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

710µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/110ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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TO-247-3

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