RJ1P12BBDTLL
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Teilenummer | RJ1P12BBDTLL |
PNEDA Teilenummer | RJ1P12BBDTLL |
Beschreibung | RJ1P12BBD IS A POWER MOSFET WITH |
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 13.524 |
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RJ1P12BBDTLL Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RJ1P12BBDTLL |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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RJ1P12BBDTLL Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4170pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 178W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | LPTL |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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