RHRD660S9A
Nur als Referenz
Teilenummer | RHRD660S9A |
PNEDA Teilenummer | RHRD660S9A |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 88.932 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RHRD660S9A Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RHRD660S9A |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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RHRD660S9A Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 6A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket | TO-252AA |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Sanken Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 400ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 985mV @ 8A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 48pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3600V Current - Average Rectified (Io) 235A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.2V @ 1000A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 3600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall B-8 Lieferantengerätepaket B-8 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C |
Powerex Inc. Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 250A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2V @ 800A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -45°C ~ 150°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |