RH 1AV1
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Teilenummer | RH 1AV1 |
PNEDA Teilenummer | RH-1AV1 |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL |
Hersteller | Sanken |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.122 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RH 1AV1 Ressourcen
Marke | Sanken |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RH 1AV1 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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RH 1AV1 Technische Daten
Hersteller | Sanken |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) | 600mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 600mA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4µs |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | Axial |
Lieferantengerätepaket | - |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 3A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 40pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 70pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AC, DO-15, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AC (DO-15) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Global Power Technologies Group Hersteller Global Power Technologies Group Serie Amp+™ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 30A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.65V @ 30A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 1581pF @ 1V, 1MHZ Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 37.7A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, G Lieferantengerätepaket G-MELF (D-5C) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 155°C |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 75A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 75A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 27µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Sawn on foil Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |